三星与台积电承诺在2030年前采用阿斯麦高数值孔径极紫外光刻机

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三星与台积电承诺在2030年前采用阿斯麦高数值孔径极紫外光刻机: Samsung 和 TSMC 已承诺将分别于 2028 年和 2030 年之前采用 ASML 的 High NA EUV 光刻机，加入 Intel 的行列。此外，所有四大芯片制造商已同意将半导体生产所用的掩模版从 6 英寸过渡到 12 英寸。